早稲田大学　乗松研究室 | 乗松研究室では、低次元物質の結晶成長、原子レベル構造制御、新規電子状態・物性解明に取り組んでいます。

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乗松研究室では、SiC熱分解法によるグラフェンやカーボンナノチューブの成長をはじめとして、新規低次元物質の結晶成長や構造制御、電子状態・物性解明を行っています。新しい材料を作り、その原子配列を明らかにし、電子状態を調べ、新現象・新機能を探索するとともに、情報通信機器や電池材料など様々な分野への応用実現に向けて、世界トップクラスの研究を展開します。

研究室見学は随時受け付けています。ページ最下部のメールアドレスまでご連絡ください。
大学院生を募集中です。また、博士後期課程への進学をご希望される方もぜひお気軽にご連絡ください。

キーワード：グラフェン、カーボンナノチューブ、2次元材料、SiC、薄膜結晶成長、構造解析、透過型電子顕微鏡、電気伝導測定、電子構造、ナノテクノロジー、固体物理学、回折結晶学

SiC上エピタキシャルグラフェンについての日本語解説記事

ニュース

2026年4月1日	8名の新四年生が配属されました。ようこそ！
2026年3月14日	榊原さんのグラフェン/SiC界面における2次元酸化鉄作製の論文が、Small Methods誌からオンライン出版されました。自然界には存在しない構造を持つ2次元酸化鉄ができました。プレスリリースはこちら。
2026年2月2-13日	中国の内モンゴル民族大学包建峰講師が、共同研究のため研究室に約3週間滞在しました。いつもお世話になっております。
2025年12月11日	早稲田大学で第7回低次元物質科学セミナーを開催しました。
2025年11月13日	榊原さんの2025年度秋季応用物理学会での講演が、講演奨励賞を受賞しました。おめでとうございます。
2025年11月13日	乗松教授が、龍谷大学で開催されたThe 2025 International Meeting for Future of Electron Devicesで招待講演「Epitaxial graphene on silicon carbide」を行いました
2025年10月3日	早稲田大学で、International workshop on epitaxial 2D materials 2025を開催しました。当日の写真はこちら。
2025年8月25日	2ステップ法によるSiC上グラフェン成長の論文が、Applied Physics Letters誌から出版されました。ローム株式会社佐藤さん（卒業生）らとの共同研究の成果です。
2025年8月6日	グラフェン上へのWSe2成長とPL特性に関する論文が、Nano Letters誌から出版されました。NIMS宮田先生、榊原さん（卒業生）との共同研究の成果です。
2025年7月14日	早稲田大学で、第6回低次元物質科学セミナーを開催しました。名古屋大学伊藤孝寛准教授、内モンゴル民族大学包建峰講師にご講演いただきました。
2025年7月9日	原子力研究開発機構で開催されたREIMEI Workshopで、M1上村拓也君と山根綾斗君がPoster Awardを受賞しました。おめでとう！乗松教授は招待講演「Step unbunching phenomenon of SiC surface during hydrogen etching process」を行いました。
2025年7月7-26日	中国の内モンゴル民族大学包建峰講師が、共同研究のため研究室に約3週間滞在しました。
2025年4月1日	4名の新四年生が配属されました。ようこそ！メンバーへ。
2025年3月26日	学位授与式が行われました。卒業おめでとう！また、B4山根綾斗君が、電子物理システム学科優秀賞を受賞し、記念メダルが授与されました。写真へのリンク。
2024年12月14日	乗松教授が、オンラインで開催された日本表面真空学会九州支部セミナーで招待講演「グラフェン/遷移金属炭化物の電子状態と物性」を行いました。
2024年11月25日	ランダム積層グラフェンへのリチウムイオン挿入脱離機構に関する論文がChemical Communications誌から出版されました。名古屋大学入山恭寿先生、九州大学本山宗主先生との共同研究の成果です。
2024年11月25日	乗松教授が、Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会第11回講演会で招待講演「SiC(0001)表面におけるステップバンチングおよびアンバンチング現象」を行いました。
2024年11月7日	乗松教授が、ジャパンマーケティングサーベイ社セミナーSiCウェハ製造における加工・平坦化技術の動向で、「SiC半導体表面の構造・形態制御」について講演を行いました。
2024年11月6日	乗松教授が、群馬県立前橋高校の生徒さんたちを対象として、模擬講義を行いました。質問が途切れず、打ち切らざるを得ないほど盛況でした。
2024年10月4日	早稲田大学でInternational workshop on epitaxial 2D materials 2024を開催しました。全ての学生がポスター発表を行いました。当日の写真はこちら。
2024年8月22日	乗松教授が、オンラインで開催されたInternational Conference on GRAPHENE-2024で招待講演「Graphene growth by thermal decomposition of transition metal carbides」を行いました。
2024年7月19日	第5回低次元物質科学セミナー（非公開）を開催しました。
2024年7月11日	乗松教授が、技術情報協会セミナーで「SiCウェハ表面の構造・形態制御と超平坦化技術」の講演を行いました。
2024年4月1日	5名の新四年生が配属されました。ようこそ！メンバーへ。
2024年3月25,26日	名古屋大学・早稲田大学で学位授与式が行われました。卒業・修了おめでとう！！！写真へのリンクです。
2024年3月17日	卒業生S君の結婚式が行われました。おめでとう！！
2024年2月29日	文科省科研費基盤研究Bに採択されました。遷移金属炭化物を原料として遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長を行います。
2024年1月22日~	中国の内モンゴル民族大学包建峰講師が、共同研究のため研究室に約2週間滞在しました。
2024年1月22日	乗松教授が、R&D支援センターWebセミナー「SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム」を行いました。
2023年12月15日	SiC上グラフェンの移動度についての解説論文が、Materials誌から出版されました。
2023年12月11日	乗松教授が、サイエンス＆テクノロジー株式会社技術セミナー「SiCを中心とした半導体の構造・形態制御とメカニズム」を行いました。
2023年11月15日	横浜産業貿易センターで開催された第33回日本MRS年次大会において、乗松教授が招待講演「SiC上グラフェンにおける界面構造および電子状態の制御」を行いました。
2023年11月10日	第4回低次元物質科学セミナーを開催しました。原子力研究開発機構寺澤知潮博士に招待講演をしていただきました。
2023年9月23日	M1として清水眞秀君が研究室に配属されました。ようこそ！
2023年8月21日	ステップアンバンチング現象に関する新聞広告記事が、読売新聞に掲載されました。
2023年8月21日	固体電解質と1-2層グラフェン界面でのLiイオン挿入脱離挙動を調べた研究「LiPON/グラフェン界面におけるLiイオン挿入脱離反応」が、ACS Nano誌から出版されました。名古屋大学入山恭寿先生、九州大学本山宗主先生との共同研究の成果です。
2023年7月19日	D3榊原涼太郎君の論文「4H-SiC(0001)表面におけるステップアンバンチング現象」が、Applied Physics Letters誌から出版されました。早稲田大学、名古屋大学、原子力研究開発機構と共同でプレスリリースを行いました。半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術としての応用が可能です。
2023年6月26日	D3榊原涼太郎君の論文「SiC(000-1)面上グラフェンの、基板オフ角による回転角制御」が、Journal of Physics: Condensed Matter誌から出版されました。C面上グラフェンの回転角は、10年以上前から議論が続いていましたが、一つの結論が出せました。
2023年5月29日	グラフェンの紹介動画が、東大理学部YouTubeチャンネルで公開されました。声優の梶裕貴さんがグラフェンの特徴を紹介しており、我々の電子顕微鏡像でグラフェンの構造が説明されています。
2023年5月25日	早稲田大学凝縮系物質科学研究所シンポジウムで、乗松教授が招待講演「グラフェン/SiC系を基盤とした低次元物質科学研究」を行いました。
2023年4月13日	名古屋大学M2大塚康平君、倪遠致君の2名が、修士研究中間発表会において優秀発表賞を受賞しました。おめでとう!!!
2023年4月5日	3名の新四年生が配属されました。今年度は、研究指導委託を受けている名古屋大学の学生3名とともに、合計6名の学生でのスタートです。
2023年4月1日	早稲田大学乗松研究室が発足しました。所属は、早稲田大学基幹理工学部電子物理システム学科です。大学院では、基幹理工学研究科電子物理システム学専攻と材料科学専攻です。研究室の場所は、西早稲田キャンパス63号館701号室です。